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漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

480

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

600

最大漏极电流Id(on)(A)：

7

通道极性：

N沟道（dào）

封装/温度(℃)：

PDFN5*6/-55~125

描（miáo）述：

650V,600mΩ,7A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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