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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

250

导通（tōng）电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

290

最（zuì）大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

15

通道极性：

N沟道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

650V,290mΩ,15A,N沟道基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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