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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

850

最大漏极电流Id(on)(A)：

5

驱（qū）动电压（yā）(V)：

10

通道极性：

N沟道

封（fēng）装（zhuāng）/温度(℃)：

DPAK-3/-55~125

描述：

650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


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