华体会hth



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-252-2L(DPAK)/-55~125

描（miáo）述：

700V,430mΩ,11A,N沟道基于超级结技（jì）术的功率MOSFET


华体会hth

华体会hth