华体会hth



漏（lòu）源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

47

通道极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封（fēng）装/温度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描（miáo）述：

600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET



华体会hth

华体会hth