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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

170

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

190

最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

20

通道极性（xìng）：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-252-3L/-55~125

描（miáo）述：

650V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于（yú）超（chāo）级结技术的功率MOSFET



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