华体会hth



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

115

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

24

通（tōng）道极性：

N沟道

封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级（jí）结技（jì）术（shù）的功（gōng）率MOSFET



华体会hth

华体会hth