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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

650

导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

70

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

74

最大漏极电流Id(on)(A)：

47

通道（dào）极性（xìng）：

N沟（gōu）道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述：

650V,74mΩ,47A,N沟道基（jī）于超（chāo）级结技术的功（gōng）率（lǜ）MOSFET


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